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　　凹槽不同部位的注入電流隨注入電壓的變化的規律不同，雖然整體規律都是隨施加電壓的提高而增加，但底部的電流有一小值。產生這一現象的原因主要是鞘層的運動狀態不同所決定的。在低電壓時，鞘層圍繞在工件表面，此時注入是仿形注入，對底部、側面和頂部的注入都來源于鞘層內的離子，由于底部與正對著弧源，等離子體中初始離子的運動速度垂直于底部，因此其注入電流要大于側面，但隨加速電壓的提高，鞘層的運動加快，在整個脈沖施加階段凹槽內部等離子體鞘層要疊加，將導致終鞘層內部無等離子體存在，結果使得注入電流降低。因此在kZV之前，注入電流是隨電壓的提高而減小的。

　　而對于側面由于鞘層的形狀有一定的彎曲，可以從圖3說明這一點，將導致有部分離子產生注入，因此其注入電流大于底部，在外表面，由于等離子體密度本身很高，又無鞘層的重疊發生，因此其注入電流高。四槽內外注入電流隨注入電壓變化情況。23凹植尺寸變化對注入均勻性的影響圖5為凹槽寬度W=30mm，凹槽深度變化時測得的凹槽底部的離子注入電流的變化情況。由此可以看出，在寬度不變情況下，增加深度將使注入電流的值降低。

　　深度變深后，凹槽底部的注入電流出現谷值的傾向減小。產生這一現象的原因，是凹槽底部的等離子體密度隨深度的增加減小，相應地，鞘層的擴展速度增加，并且導致鞘層疊加的程度增加，雖然正對弧源的離子數公相同，但離子在傳輸過程中，由于碰撞作用導致部分改變方向而注入側面，因此凹槽探度增加，注入電流降低。