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武漢普賽斯儀表有限公司

儀器儀表、電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售；電子技術(shù)服務(wù)

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高校實(shí)驗(yàn)教學(xué)IV性能分析數(shù)字源表 高校實(shí)驗(yàn)教學(xué)IV性能分析數(shù)字源表
高校實(shí)驗(yàn)教學(xué)IV性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù) 		2025-04-17
大功率分立器件靜態(tài)測(cè)試機(jī) 大功率分立器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)
隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳 		2025-04-17
雙極性電源數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)品牌 雙極性電源數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)品牌
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA 		2025-04-17
微電流iv曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表 微電流iv曲線掃描國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表
詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是 		2025-04-17
SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀
功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀 隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等 		2025-04-17
晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表 晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表
晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服 		2025-04-17
電流脈沖電源1μs窄脈寬 電流脈沖電源1μs窄脈寬
PL系列窄脈沖LV測(cè)試系統(tǒng)是為大功率激光器LV測(cè)試而研制的，大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重，而激光器特性受溫度影 		2025-04-17
IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表 IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表
集成電路測(cè)試貫穿了從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)到實(shí)際應(yīng)用的全過程，大致分為： - 設(shè)計(jì)階段的設(shè)計(jì)驗(yàn)證測(cè)試 - 晶圓制造階段的工藝監(jiān)控測(cè)試 - 封 		2025-04-17
wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備+晶圓片檢測(cè)儀 wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備+晶圓片檢測(cè)儀
wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備+晶圓片檢測(cè)儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S 		2025-04-17
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀
分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器 		2025-04-17
半導(dǎo)體器件測(cè)試儀iv曲線儀 半導(dǎo)體器件測(cè)試儀iv曲線儀
半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管 		2025-04-17
igbt靜態(tài)測(cè)試設(shè)備and參數(shù)分析儀 igbt靜態(tài)測(cè)試設(shè)備and參數(shù)分析儀
SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè) 		2025-04-17
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀1700V/1000A 功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀1700V/1000A
PMST系列功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀1700V/1000A是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 C 		2025-04-17
霍爾傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源 霍爾傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源
HCPL100特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)；15us的超快上升沿；同步測(cè)量電壓；單臺(tái)蕞大可達(dá)1000A輸出；可極性反轉(zhuǎn)；0.1%測(cè) 		2025-04-17
功率器件分析儀igbt模塊測(cè)試設(shè)備 功率器件分析儀igbt模塊測(cè)試設(shè)備
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（ 		2025-04-17
功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)CV測(cè)試儀 功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)CV測(cè)試儀
功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)CV測(cè)試儀方案普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè) 		2025-04-17
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